CENTRALSEMI齐纳二极管BZV55C4V3 TR

CENTRAL SEMICONDUCTOR BZV55C4V3系列是高质量、高可靠性的硅齐纳二极管，适用于各类商业、工业、娱乐、计算机和汽车应用。

• 高质量材料：BZV55C4V3系列采用高品质的硅材料制造，确保了二极管的稳定性和可靠性。
• 准确的电压控制：作为齐纳二极管，BZV55C4V3系列能够在反向击穿时提供稳定的电压参考，适用于需要准确电压控制的应用。
• 高反向击穿电压：该系列二极管具有较高的反向击穿电压，能够承受较大的反向电压而不会损坏，从而保护电路中的其他元件。
• 低功耗：BZV55C4V3系列二极管具有较低的功耗，有助于降低整体电路的能耗，提高能效。

产地：美国

类型：齐纳（Zener）二极管

平均正向电流：250 mA

峰值重复正向电流：250 mA

功率耗散（TL=50°C）：500 mW

齐纳电压：4.085...4.515 V

测试电流：5.0 mA

齐纳阻抗（Z_ZT @ I_ZT）：max.90 Ω

齐纳阻抗（Z_ZK）：max.600 Ω

反向电流：3.0 μA

齐纳电流：116 mA

温度范围：-65°C至200°C

RoHS标准：是

元件材料：SILICON（硅）