CENTRALSEMI通孔晶体管CDMSJ22013.8-650

该MOSFET能够承受高达650伏的漏源电压（VDS），适用于高电压环境。低rDS（ON）意味着在导通状态下，MOSFET的电阻较小，能够减少功耗，提高工作效率。低阈值电压使得MOSFET在较低的栅源电压下即可开始导通，有助于降低功耗并提高响应速度。低栅极电荷意味着MOSFET的开关速度更快，能够减少开关过程中的能量损失。

• 结合高电压能力、低rDS（ON）、低阈值电压和低栅极电荷等特点，使得CDMSJ22013.8-650在功率因数校正和电源充电器等应用中表现良好。
• 采用先进的制造工艺和材料，确保MOSFET在高电压、高电流条件下仍能保持稳定的性能。
• 紧凑的封装形式使得8-650易于与其他电子元件集成，降低电路设计的复杂性和成本。

产地：美国

漏极-源极电压：650 V

栅极-源极电压：30 V

连续漏极电流：13.8 A

连续漏极电流（TC=100°C）：8.7 A

脉冲漏极电流：41.4 A

正向二极管电流：13.8 A

功率耗散：35.7 W

功率耗散（TC=100°C）：14.3 W

工作温度：-55 至 +150 °C

存储接面温度：-55 至 +150 °C

功率因数校正

电视电源

不间断电源

PD 充电器

适配器