CENTRALSEMI低 VCE（SAT）晶体管CMLT3820G BK

CMLT3820G是一种非常低的VCE（SAT）NPN晶体管，专为需要小尺寸和高运行效率的应用而设计。该组件采用节省空间的SOT-563表面贴装封装，提供了适用于苛刻的尺寸限制应用的性能特性。

• 设备采用无卤素设计
• 大电流（IC=1.0A）
• VCE（SAT）=0.28V@IC=1.0A
• SOT663表面贴装封装
• 互补PNP器件：CMLT7820G，这为用户提供了在选择和使用上的灵活性。

产地：美国

集电极基极电压：80 V

集电极-发射极电压：60 V

发射极基极电压：5.0 V

连续集电极电流：1.0 A

峰值集电极电流：2.0 A

连续基极电流：300mA

功耗：250 mW

工作温度：-65至+150°C

存储接面温度：-65至

DC/DC转换器

电压钳位

保护电路

电池供电的手机、寻呼机、数码相机、PDA、笔记本电脑等